Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 19 A, 200 V, 7-Pin DirectFET ISOMETRIC Infineon IRF6785MTRPBF

2152581
Номер производителя: IRF6785MTRPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
717.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon HEXFET Power MOSFET has 200V maximum drain source voltage in a DirectFET MZ package rated at 19 amperes optimized with low on resistance. This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD, and EMI. The IRF6785MPbF device utilizes DirectFETTM packaging technology. DirectFETTM packaging technology offers lower parasitic inductance and resistance when compared to conventional wire bonded SOIC packaging.

Latest MOSFET Silicon technology
Key parameters optimized for Class-D audio amplifier applications
Dual sided cooling compatible
Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IRF6785MTRPBF
Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
200 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.1 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
19 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DirectFET ISOMETRIC
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию