Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 10 A, 20 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF8910TRPBF

2152590
Номер производителя: IRF8910TRPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
241.80 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon HEXFET Power MOSFET has 20V maximum drain source voltage in a SO-8 package. It has application as dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box.

Lead-Free
Low RDS(on)
Ultra-Low Gate Impedance
Dual N-Channel MOSFET

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IRF8910TRPBF
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.55В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0134 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
10 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SO-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию