Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF7341GTRPBF

2172603
Номер производителя: IRF7341GTRPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
468.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon HEXFET ® Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications. The 175°C rating for the SO-8 package provides improved thermal performance with increased safe operating area and dual MOSFET die capability make it ideal in a variety of power applications. This dual, surface mount SO-8 can dramatically reduce board space and is also available in Tape & Reel.

Advanced Process Technology
Dual N-Channel MOSFET
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IRF7341GTRPBF
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
55 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
65 mO
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
5.1 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SO-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию