Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 45 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRFS4229TRLPBF

2172634
Номер производителя: IRFS4229TRLPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
1274.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon HEXFET® Power MOSFET is specifically designed for Sustain
Energy Recovery & Pass switch applications in plasma Display panels. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area and low E pulse rating.

Advanced Process Technology
Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications
Low EPULSE Rating to Reduce Power Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications
Low QG for Fast Response
High Repetitive Peak Current Capability for Reliable Operation
Short Fall & Rise Times for Fast Switching
175°C Operating Junction Temperature for Improved Ruggedness
Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IRFS4229TRLPBF
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
250 В
Максимальное сопротивление стока источника:
48 mO
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
45 A
Серия:
1
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию