* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon OptiMOS™ series N-channel power MOSFET. It is highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses.
100% avalanche tested
Superior thermal resistance
Pb-free lead plating
Datasheet - BSZ099N06LS5ATMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0099 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
46 A
Материал транзистора:
Si
Серия:
OptiMOS™
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSDSON-8 FL
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |