* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon 600V CoolMOS™ P7 series N-channel power MOSFET. It has extremely low switching and conduction losses which makes switching applications even more efficient, more compact and much cooler. The CoolMOS™ 7th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.
Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding commutation ruggedness
Significant reduction of switching and conduction losses
Excellent ESD robustness >2kV (HBM) for all products
Datasheet - IPAW60R360P7SXKSA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.36 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9 A
Материал транзистора:
Si
Серия:
600V CoolMOS™ P7
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220 FP
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |