Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB120N06S4H1ATMA2

2183033
Номер производителя: IPB120N06S4H1ATMA2Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
1306.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode
175°C operating temperature
100% Avalanche tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPB120N06S4H1ATMA2
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.002 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
120 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS™-T2
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию