Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD35N10S3L26ATMA1

2183043
Номер производителя: IPD35N10S3L26ATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 15 шт)
386.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS™-T series N-channel automotive MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. It has low switching and conduction power losses.

N-channel - Enhancement mode
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPD35N10S3L26ATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.026 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
35 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS™-T
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию