* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon HEXFET series N-channel power MOSFET. The HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Lead-Free
Datasheet - IRF3710STRLPBFКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.023 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
57 A
Материал транзистора:
Si
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |