* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon HEXFET series N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering techniques.
Ultra Low On-Resistance
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead free
Datasheet - IRLR2703TRPBFКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.045 Ω, 0.065 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
23 A
Материал транзистора:
Si
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |