Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 205 A, 40 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC014N04LSTATMA1

2207350
Номер производителя: BSC014N04LSTATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
565.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness. Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area (SOA) is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.

Low RDS(on)
Optimized for synchronous rectification
Enhanced 175°C capability in SuperSO8
Longer life time
Highest efficiency and power density
Highest system reliability
Thermal robustness

Техническая спецификация
pdfDatasheet - BSC014N04LSTATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0014 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
205 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS 5
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TDSON
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию