Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 137 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Infineon BSC028N06NSTATMA1

2207352
Номер производителя: BSC028N06NSTATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
724.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness. Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area (SOA) is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.

Low RDS(on)
Optimized for synchronous rectification
Enhanced 175°C capability in SuperSO8
Longer life time
Highest efficiency and power density
Highest system reliability
Thermal robustness

Техническая спецификация
pdfDatasheet - BSC028N06NSTATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0028 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
137 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SuperSO8 5 x 6
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию