Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 180 A, 80 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB019N08N3GATMA1

2207376
Номер производителя: IPB019N08N3GATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1911.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Optimized technology for DC-DC converters
Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)
Superior thermal resistance
Dual sided cooling
Low parasitic inductance
Low profile (<0,7mm)
N-channel, normal level

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPB019N08N3GATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0019 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
180 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS 3
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию