Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 120 A, 80 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB031N08N5ATMA1

2207378
Номер производителя: IPB031N08N5ATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
1111.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS 5 80V industrial power MOSFET IPB031N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.

Optimized for synchronous rectification
Ideal for high switching frequency
Output capacitance reduction of up to 44%
R DS(on) reduction of up to 44%
Highest system efficiency
Reduced switching and conduction losses
Less paralleling required
Increased power density
Low voltage overshoot

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPB031N08N5ATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.8В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0031 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
120 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS 3
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию