Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB065N10N3GATMA1

2207383
Номер производителя: IPB065N10N3GATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
752.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and figure of merit.

Excellent switching performance
World’s lowest R DS(on)
Very low Q g and Q gd
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Environmentally friendly
Increased efficiency
Highest power density
Less paralleling required
Smallest board-space consumption
Easy-to-design products

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPB065N10N3GATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0065 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
80 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS 3
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию