Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 105 A, 150 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB083N15N5LFATMA1

2207385
Номер производителя: IPB083N15N5LFATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1872.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)
High max. pulse current
High continuous pulse current
Rugged linear mode operation
Low conduction losses
Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPB083N15N5LFATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
150 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.9В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0083 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
105 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS 5
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию