Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 70 A, 120 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB70N12S311ATMA1

2207395
Номер производителя: IPB70N12S311ATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
705.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon offers a wide portfolio on Automotive power MOSFETs with a voltage of 120V, 150V, 200V, 250V and 300V targeting applications such inverters for Light Electric Vehicles (LSEV, e-Motorcycles, e-Scooters), DC/AC conversion, and On-Board Chargers as well as HV-12V DC/DC Synchronous Rectification for Battery Electric Vehicles (BEV)for the emerging 48V market, check out our newly released 100V products in TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) and SSO8 (TDSON-8).

OptiMOSTM - power MOSFET for automotive applications
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPB70N12S311ATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
120 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0113 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
70 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию