Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 49 A, 700 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD65R190C7ATMA1

2207409
Номер производителя: IPD65R190C7ATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
822.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon Cool MOS C7 super junction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

650V voltage
Revolutionary best-in-class R DS(on)/package
Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
12 years manufacturing experience in super junction technology
Improved safety margin and suitable for both SMPS and solar inverter applications
Lowest conduction losses/package
Low switching losses
Better light load efficiency
Increasing power density
Outstanding Cool MOS™ quality

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPD65R190C7ATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
700 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.9 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
49 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS C7
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-252
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию