Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 6.8 A, 650 V, 3-Pin IPAK Infineon IPS60R1K0CEAKMA1

2207439
Номер производителя: IPS60R1K0CEAKMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 20 шт)
206.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon Cool MOS CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern super junction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V Cool MOS CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)
Reduced energy stored in output capacitance (E oss)
Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)
Optimized integrated R g
Low conduction losses
Low switching losses
Suitable for hard and soft switching
Easy controllable switching behaviour
Improved efficiency and consequent reduction of power consumption
Less design in effort
Easy to use

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPS60R1K0CEAKMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
1 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6.8 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
IPAK (TO-251)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию