Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 109 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW60R099P6XKSA1

2207457
Номер производителя: IPW60R099P6XKSA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
2082.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon's Cool MOS P6 super junction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. Cool MOS P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.

Reduced gate charge (Q g)
Higher V the
Good body diode ruggedness
Optimized integrated R g
Improved dv/dt from 50V/ns
Cool MOS™ quality with over 12 years manufacturing experience in super junction technology
Improved efficiency especially in light load condition
Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-off
Suitable for hard- & soft-switching topologies
Optimized balance of efficiency and ease of use and good controllability of switching behaviour
High robustness and better efficiency
Outstanding quality & reliability

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPW60R099P6XKSA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
4..5V
Максимальное сопротивление стока источника:
0.099 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
109 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS P6
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию