Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 99.6 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R110CFDAFKSA1

2207462
Номер производителя: IPW65R110CFDAFKSA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
2718.30 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon 650V Cool MOS CFDA Super junction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage Cool MOS power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V Cool MOS CFDA series provides also an integrated fast body diode.

First 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market
Limited voltage overshoot during hard commutation – self limiting di/dt and dv/dt
Low gate charge value Q g
Low Q rr at repetitive commutation on body diode & low Q oss
Reduced turn on and turn of delay times
Increased safety margin due to higher breakdown voltage
Reduced EMI appearance and easy to design in
Better light load efficiency
Lower switching losses
Higher switching frequency and/or higher duty cycle possible
High quality and reliability

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPW65R110CFDAFKSA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.11 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
99.6 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию