Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 363 A, 60 V, 7-Pin D2PAK Infineon IRF60SC241ARMA1

2207472
Номер производителя: IRF60SC241ARMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
986.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon latest 60 V Strong IRFET power MOSFET devices are optimized for both high current and low RDS(on) making them the ideal solution for high current battery powered applications.

Low RDS(on)
High current capability
Industry standard package
Flexible pinout
Optimized for 10 V gate drive
Reduction in conduction losses
Increased power density
Drop in replacement to existing devices
Offers design flexibility
Provides immunity to false turn-on in noisy environments

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IRF60SC241ARMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.7В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.00095 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
363 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
StrongIRFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-263-7
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию