Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 12 A, 30 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 Infineon IRFH3707TRPBF

2207481
Номер производителя: IRFH3707TRPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 50 шт)
136.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon Strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface-mount package
Potential alternative to high-RDS(on) SuperSO8 package
Wide availability from distribution partners
Industry standard qualification level
Standard pinout allows for drop in replacement
Small form factor

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IRFH3707TRPBF
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
20В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0124 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
12 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PQFN 3 x 3
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию