Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 8.8 A, 30 V, 8-Pin DFN2020 Infineon IRFHS8342TRPBF

2207488
Номер производителя: IRFHS8342TRPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 50 шт)
119.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon IRFHS8342 is strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface-mount power package
Low RDS(on) in a small package
Small outline
Wide availability from distribution partners
Industry standard qualification level
Standard pinout allows for drop in replacement
High power density
Compact form factor for space critical applications

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IRFHS8342TRPBF
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
20В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.016 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
8.8 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN2020
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию