Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual P-Channel MOSFET Transistor & Diode, 5.6 A, 20 V, 2-Pin D2PAK Infineon IRLMS6802TRPBF

2207501
Номер производителя: IRLMS6802TRPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 50 шт)
129.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon P-Channel MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The Micro6 package with its customized lead frame produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on) 60% less than a similar size SOT-23. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. The unique thermal design and RDS(on) reduction enables a current-handling increase of nearly 300% compared to the SOT-23.

Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Lead-Free

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IRLMS6802TRPBF
Канал - тип:
P
Количество контактов:
2
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
12В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.05 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
5.6 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию