* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The ON Semiconductor 150V of power MOSFET used 139 A of drain current used with single N−channel. It produced using an advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. It has industry lowest Qrr and softest body-diode for superior low noise switching.
Max RDS(on) 5.0 m at VGS at 10V
50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
Lowers switching noise/EMI
100% UIL tested
Datasheet - NTB5D0N15MCКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
150 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.005 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
139 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NTB5D0N
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |