* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The ON Semiconductor 60V of power MOSFET used 267A of drain current with single N−channel. It has lower switching noise/EMI and minimize conduction losses.
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Low capacitance to minimize driver losses
Datasheet - NTBGS1D5N06CКанал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.00155 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
267 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NTBGS1D
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-263-7
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |