* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET has high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Ultra low gate charge
low effective output capacitance 2495 pF
100% avalanche tested
Datasheet - NTH4LN019N65S3HКанал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0193 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
75 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NTH4LN019N
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247-4
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |