* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The ON Semiconductor N-Channel MV MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Low capacitance to minimize driver losses
Datasheet - NTMFS006N12MCT1GКанал - тип:
N
Количество контактов:
5
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
120 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.006 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
93 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NTMFS006N
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |