* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The ON Semiconductor N-Channel MV MOSFET is produced using an advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with very low Qg and Qoss.
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Low QG and capacitance to minimize driver losses
Low QRR, soft recovery body diode
Datasheet - NTMFS4D2N10MDT1GКанал - тип:
N
Количество контактов:
5
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0043 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
113 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NTMFS4D2N
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |