Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Silicon N-Channel MOSFET, 12.5 A, 600 V, 8-Pin HSOF-8 Infineon IGT60R190D1SATMA1

2224638
Номер производителя: IGT60R190D1SATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт.
4847.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. Cool MOS™ P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
Very high commutation ruggedness
Pb-free plating Halogen free mold compound

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IGT60R190D1SATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.6В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.19 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
12.5 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolGaN
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
HSOF-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию