* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.
Extremely low losses due to very low FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss
Product validation acc. JEDEC Standard
Low switching losses (Eoss)
Integrated ESD protection diode
Datasheet - IPA70R900P7SXKSA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
700 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.9 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220 FP
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |