* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.
Product validation acc. JEDEC Standard
Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode
Excellent thermal behaviour
Datasheet - IPN70R1K2P7SATMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
700 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.2 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9.4 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |