Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Silicon N-Channel MOSFET, 111 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW60R018CFD7XKSA1

2224719
Номер производителя: IPW60R018CFD7XKSA1Производитель: Infineon
Цена за шт.
5631.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Pb-free lead plating
RoHS compliant
Superior thermal resistance 100% avalanche tested
Halogen-free according to IEC61249-2-23

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPW60R018CFD7XKSA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.018 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
111 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию