Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Silicon N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF1010ESTRLPBF

2224733
Номер производителя: IRF1010ESTRLPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
386.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Advanced process technology
Ultra-low on-resistance Fast switching
Lead-Free, RoHS Compliant

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IRF1010ESTRLPBF
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.012 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
84 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию