* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced Direct FETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.
100% Rg tested Low Conduction and Switching Losses
Ultra Low Package Inductance Ideal for CPU Core DC-DC Converters
Datasheet - IRF6620TRPBFКанал - тип:
N
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.45В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0036 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
150 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DirectFET ISOMETRIC
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |