* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDSon (<1.15 mΩ)
Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)
100% Rg tested
Low Profile (<0.9 mm)
Datasheet - IRFH5250TRPBFКанал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
25 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.35В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.00115 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PQFN 5 x 6
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |