Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 4-Pin PQFN 5 x 6 Infineon IRFH8311TRPBF

2224747
Номер производителя: IRFH8311TRPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 15 шт)
284.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDSon (<1.15 mΩ)
Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)
100% Rg tested
Low Profile (<0.9 mm)

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IRFH8311TRPBF
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.35В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0021 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
30 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PQFN 5 x 6
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию