* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Datasheet - IRFR2405TRPBF
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
ТК Деловые Линии | от 500 руб |
Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
Другой транспортной компанией | По согласованию |