* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon new single-channel galvanic ally isolated gate driver IC component 1EDS5663H is a perfect fit for enhancement mode (e-mode) gallium nitride (GaN) HEMTs with non-isolated gate (diode input characteristic) and low threshold voltage, such as CoolGaN™. It ensures robust and highly efficient high voltage GaN switch operation whilst concurrently minimizing R&D efforts and shortening time-to-market.
Low ohmic outputs
Single-channel galvanic isolation
Integrated galvanic isolation
Datasheet - 1EDS5663HXUMA1Время спада:
4.5нс
Выходной ток:
8 A
Количество контактов:
16
Напряжение питания:
4В
Тип логики:
NMOS
Тип упаковки:
PG-DSO-16-30
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |