* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 10 A in a TO-247-3 package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.
Best-in-class forward voltage (VF)
No reverse recovery charge
Mild positive temperature dependency of VF
Best-in-class surge current capability
Excellent thermal performance
Datasheet - IDW10G120C5BFKSA1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальный постоянный прямой ток:
10A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
1200В
Технология диода:
SiC Шоттки
Тип выпрямителя:
Schottky Diode
Тип диода:
SiC Шоттки
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж (SMD)
Тип упаковки:
TO-247
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |