* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC-link voltages 600 V up to 1000 V in numerous power applications.
Optimized for fly-back topologies
Extremely low switching loss
12 V / 0 V gate-source voltage compatible with fly-back controllers
Fully controllable dV/dt for EMI optimization
SMD package with enhanced creepage and clearance distances, > 7 mm
Datasheet - IMBF170R650M1XTMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1700 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
650 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
7.4 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
IMBF1
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-263-7
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |