* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon CoolSiC 1200 V, 90 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages.
Best in class switching and conduction losses
Benchmark high threshold voltage, Vth > 4 V
0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive
Wide gate-source voltage range
Robust and low loss body diode rated for hard commutation
Datasheet - IMZ120R090M1HXKSA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
90 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
26 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
IMZ1
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247-4
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |