Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon IPB60R040CFD7ATMA1

2224887
Номер производителя: IPB60R040CFD7ATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
2667.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R040CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors

Best-in-class hard commutation ruggedness
Highest reliability for resonant topologies
Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
Enabling increased power density solutions

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPB60R040CFD7ATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
180 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
18 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
IPA60R
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220 FP
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию