* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon HEXFET power MOSFET in a dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. The efficient SO-8 package provides enhanced thermal characteristics and dual MOSFET die capability making it ideal in a variety of power applications.
Advanced planar technology
Dynamic dV/dT rating
Logic level gate drive
175°C operating temperature
Fast switching
Lead free
RoHS compliant
Automotive qualified
Datasheet - AUIRF7341QTRКанал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
55 В
Максимальное пороговое напряжение:
3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
5.1 A
Материал транзистора:
Si
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SO-8
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |