* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon OptiMOS series dual N-channel MOSFET has drain to source voltage of 55 V. It has benefits of larger source lead frame connection for wire bonding and bond wire is 200um for up to 20A current.
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package
Ultra low Rds
100% Avalanche tested
Datasheet - IPG20N06S2L65AATMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
55 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.2В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.065 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
20 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TDSON
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |