* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Datasheet - SCTH35N65G2V-7AGКанал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.067 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
45 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
H2PAK-7
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |