* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon IPDQ60R010S7A is a high voltage power MOSFET,designed as static switch according to the super junction (SJ) principle. The mosfet combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation enabling low RDS (on) in QDPAK package. The S7A series is optimised for low frequency switching and high current. application like circuit breakers.
Minimizes conduction losses
Increases energy efficiency
More compact and easier designs
Lower TCO cost or BOM cost
Datasheet-IPDQ60R010S7AXTMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
22
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.01 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
50 A
Серия:
IPDQ60R010S7A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
QDPAK
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |