* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon IPDQ60R010S7 is the N channel power MOSFET and it enables the best performance for low frequency switching applications. The MOSFET is optimized for static switching and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for liner rectification inSMPS and inverter topologies.
Minimizes conduction losses
Increases energy efficiency
More compact and easier designs
Eliminates or reduces heat sinks in solid-state design
Datasheet-IPDQ60R010S7XTMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
22
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.01 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
50 A
Серия:
IPDQ60R010S7
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
QDPAK
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |