Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Infineon 2ED2109S06FXUMA1, 290 mA, 20V 8-Pin, DSO, Микросхема

2266023
Номер производителя: 2ED2109S06FXUMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
448.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon 2ED2109S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. It is based on SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative voltages of up to - 11 Von VS pin on transient voltage. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.

Floating channel designed for bootstrap operation
Operating voltages (VS node) upto + 650 V
Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V
Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode

Техническая спецификация
pdfDatasheet - 2ED2109S06FXUMA1